MTD6N15T4G的技术参数

详细内容

产品型号:MTD6N15T4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):150
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300
最大漏极电流Id(on)(A):6
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):4DPAK/-55~150
描述:6A,150V,DPAK,N沟道功率MOSFET
价格/1片(套):暂无