NTD5407NT4G的技术参数

详细内容

产品型号:NTD5407NT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26
最大漏极电流Id(on)(A):38
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:40V,38A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无