NTGS3443T1G的技术参数

详细内容

产品型号:NTGS3443T1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65
最大漏极电流Id(on)(A):2
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150
描述:2A, 20 V功率MOSFET
价格/1片(套):￥1.80