NTLTD7900ZR2G的技术参数

详细内容

产品型号:NTLTD7900ZR2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26
最大漏极电流Id(on)(A):9
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):MICRO-8/-55 ~150
描述:20 V, 9A功率MOSFET
价格/1片(套):￥4.00