NTMS5P02R2G的技术参数

详细内容

产品型号:NTMS5P02R2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):33
最大漏极电流Id(on)(A):5.400
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
描述:-20 V, -5.4 A, 功率MOSFET
价格/1片(套):￥3.80