MMBZ5231BLT1G的技术参数
详细内容
产品型号:MMBZ5231BLT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.840
齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100
齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):17
最大功率PMax(W):0.225
芯片标识:8F
封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150
价格/1片(套):¥.25
产品型号:MMBZ5231BLT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.840
齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100
齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):17
最大功率PMax(W):0.225
芯片标识:8F
封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150
价格/1片(套):¥.25