MMBZ5246BLT1G的技术参数
详细内容
产品型号:MMBZ5246BLT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):15.200
齐纳击穿电压Vz典型值(V):16
齐纳击穿电压Vz最大值(V):16.800
@Izt(mA):7.800
齐纳阻抗Zzt(Ω):17
最大功率PMax(W):0.225
芯片标识:8W
封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150
价格/1片(套):¥.25
产品型号:MMBZ5246BLT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):15.200
齐纳击穿电压Vz典型值(V):16
齐纳击穿电压Vz最大值(V):16.800
@Izt(mA):7.800
齐纳阻抗Zzt(Ω):17
最大功率PMax(W):0.225
芯片标识:8W
封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150
价格/1片(套):¥.25