MMSZ27ET1G的技术参数
详细内容
产品型号:MMSZ27ET1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650
齐纳击穿电压Vz典型值(V):27
齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):80
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:8
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):¥.40
产品型号:MMSZ27ET1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650
齐纳击穿电压Vz典型值(V):27
齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):80
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:8
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):¥.40