MMSZ5235BT1G的技术参数
详细内容
产品型号:MMSZ5235BT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.460
齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800
齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):5
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:E5
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):¥.40
产品型号:MMSZ5235BT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.460
齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800
齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):5
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:E5
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):¥.40