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WJ通讯RF产品推陈出新

详细内容

WJ推出28伏InGaPHBT功率放大器技术

  WJ通讯公司是从事射频(RF)解决办法的领先设计公司和供应商,它的产品用于无线设施

  (wirelessinfrastructure)和射频识别(RFID)读出技术,今日宣布研制成功令人振奋的28VInGaPHBT技术,用于移动基本设施的功率放大器。与市场上现有的其他技术比较,这项技术在功率输出和效率方面具有显著的优点。这种28V工艺是在WJ通讯公司现有的5VInGaPHBT工艺的基础上发展起来的,已经通过实践证明它是可靠性很高的工艺,适合移动基础设备使用。使用这种新的28V工艺制造的几种新产品正在研制之中,将在2006年第三季度推出。

  “对于研究成功这项新的28VInGaPHBT工艺,我们感到十分振奋。这项技术显著地提高了邻近频道功率比/邻近频道泄漏比(ACPR/ACLR)性能,而效率与市场上目前的LDMOS产品相当或者更高。”WJ通讯公司负责工程技术的副总裁MortezaSaidi说道。“用这项技术制造的器件可以作为B类放大器使用,由于独特的电路设计(已经申请专利权),它的ACPR/ACLR性能仍然很好。我们初步计划推出几种1dB压缩点(P1dB)功率为10W的产品,这项技术也适合于制造功率更大的产品。”

工艺简介

  +28VInGaPHBT工艺是先进的技术,它的击穿电压极高,能够用于很大的功率。我们已经在半导体结温为315℃的情况下进行了4000小时的寿命试验,而且它的β降级极少。我们已经证明这项工艺在输入过载6dB时,仍然不会损坏。

封装的开发

  WJ通讯公司还研制了一种可以进行表面贴装的功率QFN封装,用于这些InGaPHBT产品,它是使用低熔点贴片技术把芯片贴上去,大量地降低了热阻,保证它能够可靠地工作。

WJ推出动态范围很宽的双通道转换器

  WJ通讯公司是从事射频解决办法主要设计公司和供应商,它的产品用于无线设施(wirelessinfrastructure)和射频识别(RFID)读出技术,今日宣布推出CV221-2A双通道射频转换器(converter),该产品的偏移电流小,动态范围宽,用于无线基站和中继站。CV221-2A适合目前的无线技术和下一代无线技术使用,例如要求线性度很高、偏置电流很小的GPRS、GSM、CDMA、W-CDMA以及Wi-Bro等技术。

  “我们充分发挥本公司在多芯片组件技术方面的技术专长,把GaAsFET和InGaPHBT器件集成在一起,形成双通道转换器,它使用很小的QFN封装,便于客户使用,与使用分立元件的办法相比,成本可以降低40%,电路板的空间可以减少60%,调谐元件减少24%。”WJ通讯公司负责工程技术的副总裁MortezaSaidi说道。“CV221-2A的线性度很高,偏置电流小,动态范围宽,使用符合工业标准的QFN封装,因而我们的客户可以迅速和经济地满足无线基础设施的要求。”

产品简介:

  CV221-2A是线性度很好的双通道转换器(dualchannelconverter),其中集成了LO放大器和IF放大器,它使用低成本的SMT无铅QFN封装,符合RoHS标准,尺寸为6×5mm。这种降频转换器的输入IP3为+28dBm,每个通道的总增益为9.2dB,电源电压为+5V,偏置电流为315mA,LO输入功率为0dBm。这个器件工作的射频频率范围从1900到2400MHz,LO频率范围从1600到2335MHz,IF频率范围从65到300MHz。

  两个通道之间的隔离程度为45dB,端口之间的隔离程度从LO到RF为12dB,从LO到IF为26dB。CV221-2A每个RF、IF和LO端口的VSWR优于2:1。在温度从-40到+85℃的范围内它的增益变化为+/-0.6dB。器件中集成了两级LO放大器,在很宽的LO功率范围内性能稳定。每一通道和内部的元件是相互隔离的,转换器可以用于升频转换和降频转换。

  CV221-2A是用WJ通讯公司成熟的高可靠性GaAsFET和InGaPHBT工艺制造的,它们是针对无线基础设施的要求设计的。CV221-2A能够在–40到+85℃的温度范围内工作,在85℃时的MTTF超过1百万小时。它的ESD属于1B类(根据JEDEC准JESD22-A114的HBM),按JEDEC准J-STD-020的要求,在260℃时达到2MSL级。

CV221-2A降频转换器的技术性能:
.RF频率范围:1900至2400MHz
.LO频率范围:1600至2335MHz
.IF频率范围:65至300MHz
.输入三阶截止点:+28dBm
.增益:9.2dB
.噪音指数:11dB
.LO输入功率:0dBm
.作置电压:+5V(315mA)
.封装:符合RoHS法例的无铅QFN封装

WJ通讯公司推出宽动态范围的混频器

  WJ通讯公司是从事射频解决办法的领先设计公司和供应商,它的产品用于无线设施和射频识别(RFID)读出技术,今日宣布推出ML401和ML501混频器,其中集成了LO放大器,它的输入功率小,动态范围宽,用于无线基站和中继站。这两种混频器适合现有的无线技术和下一代无线技术使用,例如要求线性度很高、LO输入功率低的GPRS、GSM、CDMA、W-CDMA、WiMax以及Wi-Bro等技术。

  “我们利用本公司获得了专利权的高线性度GaAsFET混频器技术,研制了两种高性能的混频率,其中集成有LO放大器,在LO输入功率为0dBm时,它的输入IP3性能很好。”WJ通讯公司负责销售与市场推广的高级副总裁HareshPatel说道。“ML401和ML501混频器可以作为升频或者降频转换器使用,由于LO放大器和混频器集成在一起,可以把客户系统中电路板的面积减小一半,并且减少了LO发射。ML510可以工作在2.7GHz,它的线性度很好,适合现在出现的第四代应用系统使用,例如WiMax和Vi-Bro。”

产品简介

  ML401是线性度很高的混频器,其中集成了LO放大器,它使用符合RoHS法例的低成本SOIC-8无铅环保封装。混频器的输入IP3为+30至32dBm,转换总损失为8.0dB。这个器件的RF频范围是1700至2200MHz,LO频率范围为1550至2150MHz,IF频率范围为50至250MHz。ML401的偏置电压为+5V,电流110mA,所有端口的VSWR超过2:1。

  ML501和ML401相似,它的RF工作频率范围是1900至2700MHz,LO频率范围是1600至2500MHz,IF频率范围从50到500MHz。

  ML401和ML501是用WJ通讯公司成熟的高可靠性工艺制造的,它们是针对无线基础设施的要求设计的。ML401和ML501能够在–40到+85℃的温度范围内工作,在85℃时的MTTF超过1百万小时。它的ESD属于1B类(根据JEDEC标准JESD22-A114的HBM),按JEDEC标准J-STD-020的要求,在260℃时达到2MSL级。

ML401混频器(其中集成了LO放大器)的技术性能:
.RF频率范围:1700至2200MHz
.LO频率范围:1550至2150MHz
.IF频率范围:50至250MHz
.输入三阶截止点:+30dBm
.转换损失:8.0dB
.LO输入功率:0dB
.偏置电压:+5V(110mA)
.封装:符合RoHS法例的SOIC-8无铅环保封装

ML501混频器(其中集成了LO放大器)的技术性能:
.RF频率范围:1900至2700MHz
.LO频率范围:1600至2500MHz
.IF频率范围:50至500MHz
.输入三阶截止点:+31dBm
.转换损失:8.0dB
.LO输入功率:0dB
.偏置电压:+5V(110mA)
.封装:符合RoHS法例的无铅环保SOIC-8封装

WJ通讯公司推出高集成度两级放大器

  WJ通讯公司是从事射频(RF)解决办法的领先设计公司和供应商,它的产品用于无线基础设施和射频识别(RFID)读出技术,今日宣布,除了以前推出的SOIC-8封装AH212放大器,现在开始供应采用QFN封装的产品,尺寸为4x5mm。AH212-EG是功率为1瓦的两级驱动放大器,它的动态范围很宽,用于现有的无线技术及下一代无线技术,例如GPRS、GSM、CDMA、W-CDMA、TD-SCDMA以及WiBro,这些技术要求线性度很高,功率很大。

  “我们提供采用QFN封装的AH212放大器,因此射频设计人员除了可以使用SOIC-8封装放大器,现在多了一个选择。QFN封装的安装面积较大,改善了电路板的热阻,因而整体可靠性更好,半导体结的温度较低。”WJ通讯公司负责产品系列管理及市场推广的高级副总裁RonBuswell说道。“AH212EG是两级放大器,它的线性度非常高,采用MMIC集成设计,设计成简单和容易使用的组件,与其他竞争的技术相比,它使用的电路板空间减少一半,调谐元件减少25%。WJ通讯公司的客户希望这个器件具有较大的增益和1dB压缩点(P1dB)增益,QFN封装器件做到了这点。”

产品简介

  AH212-EG是动态范围很宽的两级1瓦驱动放大器,它采用低成本的表面贴装无铅环保封装,尺寸为4×5mm,符合RoHS法例的要求。它是用InGaP/GaAsHBT工艺制造,用于窄带调谐电路时,它的性能优异,增益为26dB、输出三阶截取点(OIP3)增益为+46dBm,1dB压缩点功率为+30dBm。这个器件的工作频带是1800至2400MHz,在这个频带内的增益平坦度很好。

  AH212-EG的线性度很好,ACPR/ACLR(邻近频道功率比/邻近频道电平比)性能优异,适合扩谱应用系统,例如CDMA和W-CDMA。工作在1960MHz时,对于IS-95A信号,它的输出功率能够达到+23.5dBm,邻近频道功率比(ACPR)为-45dBc。对于W-CDMA,在2140MHz时,它的输出功率是+21dBm,邻近频道电平比(ACLR)为-45dBc。AH212的输出返回损失很好,在频率为1960MHz时为11dB,在频率为2140MHz时,是9dB。

  AH212-EG使用WJ通讯公司可靠性很好的InGaPHBT工艺制造,这是一项成熟的工艺,是针对无线基础设备的要求设计的。AH212EG能够在–40℃至+85℃的温度范围内工作,在85℃时,它的无损坏平均时间(MTTF)超过1百万小时。它的ESD级别为1B级(按JEDEC标准的JESD22-A114在人体模型上进行测试),在260℃时,按JEDEC标准中的J-STD-020进行测试,达到MSL的2级。

WJ扩大12V功率放大器产品线

  WJ通讯公司是从事射频(RF)解决办法的领先设计公司和供应商,它的产品用于无线基础设施

  (wirelessinfrastructure)和射频识别(RFID)读出技术,今日宣布推出用于通用移动电讯系统(UMTS)的8W功率放大器(PowerAmplifier)AP512和用于分布控制系统(DCS)的8W功率放大器。这两种放大器的线性度很好,是用于CDMA和W-CDMA的理想功率放大器。对于CDMA和W-CDMA,很重要的一项要求是邻近频道功率比很小。这两种器件适合在移动基础设施中作为功率放大器,或者在中继站中作为功率输出级。这些放大器扩大了WJ通讯公司12V功率放大器产品的阵容。WJ通讯公司的12V功率大器产品还包括AP501、AP502、AP503和AP504──这些都是4W的放大器。

  “我们的AP512和AP513是用InGaPHBT技术制造的三级放大器,与5欧姆负载匹配,设计人员可以用这两种功率放大器,在功能和成本之间加以权衡,全面满足无线基础设备的需要。”WJ通讯公司负责销售与市场推广的高级副总裁HareshPatel说道。“这些器件的邻近频道功率比/邻近频道泄漏比(ACPR/ACLR)极低,而且效率很高,适合用于要求很高的功率放大器。此外,它的偏置点可以调节,可以从AB类放大调节为B类放大。因此设计人员可以针对具体的要求对性能进行优化。这两种器件包含所有的偏置电路、热管理电路和匹配电路,因此可以很容易地用到具体的应用系统中。

产品简介

  AP512是三级放大器,工作频率范围从2110到2170MHz,输出三阶截取点(IP3)为53dBm,功率增益为28dB,1dB压缩点(P1dB)为39dBm。它使用尺寸为13×29×4.1mm、凸缘安装的封装,符合RoHS的要求。接成AB类放大器时,它的工作电压为+12V,电流为1.72A。不需要负电压就可正常工作。

  AP513与AP512相似,但它的工作频率范围是从1805至1880MHz。它的输出三阶截取点(IP3)为50dBm,功率增益为30dB,1dB压缩点(P1dB)为39dBm。它使用的封装与AP512是一样的。接成AB类放大器时,它的工作电压为+12V,电流为1.67A。

  这两种放大器的ACPR/ACLR性能极好。AP512作为驱动放大器使用时,它能够提供的W-CDMA功率输出为

  +28dBm,在偏移±5MHz时邻近频道泄漏比ACLR为–56.5dBc。AP512作为输出放大器使用时,输出功率为+31dBm,而邻近频道泄漏比(ACLR)为-45dBc。AP513在接成驱动放大器时,它的CDMA2000(7载波系统)输出功率为+28dBm;在偏移±885KHz时邻近频道泄漏比(ACLR)为–64dBc;在接成输出放大器时,输出功率为+32dBm,邻近频道泄漏比(ACPR)为–45dBc。这两种器件都可以用简单的+5V控制线实现断电模式。

  AP512和AP513使用WJ通讯公司高可靠性的InGaPHBT工艺制造,是针对无线基础设备的要求设计的。它们能够工作在–40至+85℃的温度范围。AP512和AP513在+85℃时的无损坏平均时间(MTTF)达到1百万小时。这两种产品的ESD级别为1C级(按JEDEC标准JESD22-A114在人体模型上进行测试)。

AP512放大器的技术性能:
.RF频率范围:2110至2170MHz
.功率增益:28dB
.ACLR:-56.5dBc(在W-CDMA功率输出为+28dBm时)
.输出三阶截取点IP3:+53dBm
.1dB压缩点(P1dB):+39dBm
.偏置:+12V、1.72A
.封装:凸缘安装封装,符合RoHS要求

AP513放大器的技术性能:
.RF频率范围:1805至1880MHz
.功率增益:30dB
.ACLR:-64dBc(在CDMA7fa功率输出为+28dBm时)
.输出三阶截取点(IP3):+50dBm
.1dB压缩点(P1dB):+39dBm
.偏置:+12V、1.67A
.封装:凸缘安装封装,符合RoHS要求