NTD18N06L的技术参数

详细内容

产品型号:NTD18N06L
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):54
最大漏极电流Id(on)(A):18
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~175
描述:18A,60V功率MOSFET
价格/1片(套):￥3.30