MMSZ4V3T1G的技术参数
详细内容
产品型号:MMSZ4V3T1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.090
齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300
齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.520
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):90
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:U2
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):¥.40
产品型号:MMSZ4V3T1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.090
齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300
齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.520
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):90
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:U2
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):¥.40