MMSZ39T1G的技术参数
详细内容
产品型号:MMSZ39T1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):37.050
齐纳击穿电压Vz典型值(V):39
齐纳击穿电压Vz最大值(V):40.950
@Izt(mA):2
齐纳阻抗Zzt(Ω):130
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:Y5
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):暂无
产品型号:MMSZ39T1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):37.050
齐纳击穿电压Vz典型值(V):39
齐纳击穿电压Vz最大值(V):40.950
@Izt(mA):2
齐纳阻抗Zzt(Ω):130
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:Y5
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):暂无