BC858CLT1G的技术参数
详细内容
产品型号:BC858CLT1G
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):-30
集电极最大电流Ic(max)(mA):-100
直流电流增益hFE最小值(dB):420
直流电流增益hFE最大值(dB):800
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150
价格/1片(套):¥.20
产品型号:BC858CLT1G
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):-30
集电极最大电流Ic(max)(mA):-100
直流电流增益hFE最小值(dB):420
直流电流增益hFE最大值(dB):800
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150
价格/1片(套):¥.20