闭环霍尔传感器的工作原理

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1879年，美物理学家EdwinHerbertHall发现霍尔效应以来，霍尔技术越来越多的应用于工业控制的各个领域。进入八十年代，随着元器件工艺技术的发展，霍尔器件的性能大大提高，由霍尔器件应用开发的霍尔电流、电压传感器的性能也有很大提高，特别闭环霍尔电流、电压传感器的研制成功，大大的扩展了该项技术的应用领域。

霍尔效应及霍尔器件

霍尔效应是霍尔技术应用的理论基础，当通有小电流的半导体薄片置于磁场中时，半导体内的载流子受洛伦兹力的作用发生偏转，使半导体两侧产生电势差，该电势差即为霍尔电压VH，个电压VH与磁感应强度B及控制电流IC成正比，经过理论推算有如下等式关系：

VH=（RH/d）XBXIC（1）

式中：VH为霍尔电压；B为磁感应强度；IC为控制电流；RH为霍尔系数；d为半导体厚度。

上式中，若保持控制电流IC不变，在一定条件下，可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小，由此建立了磁场与电压信号的联系。根据这一关系式，们研制了用于测量磁场的半导体器件，即霍尔器件。