NLAS3699BMN1R2G的技术参数
详细内容
产品型号:NLAS3699BMN1R2G
工作电压(V):1.65~4.5
导通电阻(Ω):0.850
功能:2DPDT
封装/温度(℃):QFN-16/-40~85
描述:双DPDT模拟开关,超低导通电阻
价格/1片(套):暂无
产品型号:NLAS3699BMN1R2G
工作电压(V):1.65~4.5
导通电阻(Ω):0.850
功能:2DPDT
封装/温度(℃):QFN-16/-40~85
描述:双DPDT模拟开关,超低导通电阻
价格/1片(套):暂无