MMBF0201NLT1G的技术参数

详细内容

产品型号:MMBF0201NLT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1.400
最大漏极电流Id(on)(A):0.300
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
描述:0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥1.20