NTB85N03的技术参数

详细内容

产品型号:NTB85N03
源漏极间雪崩电压VBR(V):28
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100
最大漏极电流Id(on)(A):85
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55~150
描述:85A,28V逻辑电平的功率MOSFET
价格/1片(套):￥9.20