MMDF3N04HDR2G的技术参数

详细内容

产品型号:MMDF3N04HDR2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80
最大漏极电流Id(on)(A):3.400
通道极性:N/N沟道
封装/温度(℃):SO-8/-55~150
描述:3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET
价格/1片(套):￥6.00