NTB35N15T4G的技术参数

详细内容

产品型号:NTB35N15T4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):150
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50
最大漏极电流Id(on)(A):37
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
描述:37 A, 150 V功率MOSFET
价格/1片(套):￥16.00