MMSZ5228BT1G的技术参数
详细内容
产品型号:MMSZ5228BT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.710
齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.900
齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.100
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):23
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:D3
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):¥.40
产品型号:MMSZ5228BT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.710
齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.900
齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.100
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):23
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:D3
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):¥.40