NTD3055L104的技术参数

详细内容

产品型号:NTD3055L104
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏极电流Id(on)(A):12
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~175
描述:12A,60V逻辑电平的功率MOSFET
价格/1片(套):￥2.60