NTD4805N-1G的技术参数

详细内容

产品型号:NTD4805N-1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5
最大漏极电流Id(on)(A):88
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175
描述:30V,88A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无