NTMD2C02R2G的技术参数

详细内容

产品型号:NTMD2C02R2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43
最大漏极电流Id(on)(A):5.200
通道极性:N/P沟道
封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
描述:2 A, 20 V,功率MOSFET
价格/1片(套):￥4.80