NTLJS3113PT1G的技术参数

详细内容

产品型号:NTLJS3113PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):-20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):40
最大漏极电流Id(on)(A):-9.500
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):DFN-6/-55~150
描述:-20V,-9.5A,uCOOLP沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥3.20