NTR4503NT1G的技术参数

详细内容

产品型号:NTR4503NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140
最大漏极电流Id(on)(A):2.500
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:30 V, 2.5 A,双功率MOSFET
价格/1片(套):￥1.30