MM3Z3V3ST1G的技术参数

详细内容

产品型号:MM3Z3V3ST1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.230
齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300
齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.530
@Izt(mA):1000
齐纳阻抗Zzt(Ω):95
最大功率PMax(W):0.200
芯片标识:T5
封装/温度(℃):SOD323/-65~150
价格/1片(套):暂无